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1200V半桥碳化硅MOSFET栅极驱动器（用于XM3电源模块优化） - CMT-TIT8243
1200V半桥碳化硅MOSFET栅极驱动器（用于62毫米电源模块优化） - CMT-TIT8244
1700V半桥碳化硅MOSFET栅极驱动器（用于62毫米电源模块优化） - CMT-HADES2P
HADES�v2 Gate Driver Primary Side IC (175�C) - CMT-HADES2S
HADES�v2 Gate Driver Secondary Side IC (175�C) - EVK-HADES�1210
HADES�v2 High Voltage Isolated Gate Driver EVK - CHT-HADES2P
HADES�v2 Gate Driver Primary Side IC - CHT-HADES2S
HADES�v2 Gate Driver Secondary Side IC - HYPERION
40V半桥栅极驱动器 - ATLAS
双通道功率晶体管驱动器 - THEMIS
栅极驱动器控制器对电源开关 - RHEA
双通道数据隔离收发器
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THEMIS
栅极驱动器控制器对电源开关
CHTTHEMIS是功率晶体管驱动溶液CHTTHEMIS和CHT-ATLAS的控制器块。该芯片组被专门设计用于驱动宽带隙功率晶体管，特别是氮化镓（GaN），并且包括常开和normallyOff的JFET，MOSFET和双极结型晶体管碳化硅（SiC）器件。它也可用于与标准的硅MOSFET和IGBT在标准温度应用（例如125°C），在其中使由传统解决方案相比的数量级在可靠性和寿命的增加。CHT-THEMIS可以驱动多达5个CHTATLAS芯片用于需要高达±20A到功率器件的栅极非常高的功率应用。它实现了管理控制和故障信号的状态机，它嵌入了电压基准以及线性电压调节器的5V，其用于供应CHT-ATLAS。此5V电源也可以用于功率高达其他外部电路，例如所述分离的收发器CHT-RHEA完全分离的栅极驱动器实现。该电路设有一个可调的欠电压锁定（UVLO）具有滞后功能，以及一个去饱和检测电路。它还包括一个脉冲发生预驱动器，以适应常关的SiC JFET。CHT-THEMIS还设有一个有源米勒钳位（AMC）的功能和预驱动器对外部晶体管。
典型表现：
- 温度范围：-55℃〜225℃
- 电源电压：5〜30V
- 可调欠电压锁定（UVLO）
- 去饱和检测电路
- 有源米勒钳位（AMC）的支持
- 可用包装：陶瓷SOIC28
应用
- 智能功率模块（IPM）
- 功率转换，发电和在航空执行器控制装置
- 太阳能逆变器
- 马达驱动器，电池充电器和
- DC-DC转换器中的EV / HEV
- 功率转换和在铁路电动机驱动
- 开关模式电源（SMPS）
- 风力发电机的功率转换器
一个评估板EVK-THEMIS-ATLAS实施基于CHT-THEMIS和CHT-ATLAS高温功率晶体管驱动器和控制器提供的CISSOID。金宝搏188下载
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订购信息
| 产品名称 | 订购参考 | 包 | 印记 |
|---|---|---|---|
| THEMIS | CHT-TIT9570C-CSOIC28-T | 陶瓷SOIC28 | CHT-TIT9570C |