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2020年6月1日

关于碳化硅MOSFET智能功率模块在Bodo的电源系统公司首席技术官会谈

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CMT-HADES2S

HADES�v2 Gate Driver Secondary Side IC (175�C)

CMT-HADES2S是专门设计用于驱动宽带隙的高电压/高功率晶体管,尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)器件的高温,高可靠性的单芯片完全集成栅极驱动器。它提供了市场由于其体积小,数量少它需要的外部元件上可用的最紧凑的解决方案。此外,它还采用了业界最高的输出电流这种类型的产品。x188bet

CMT-HADES2S可以用标准硅MOSFET和IGBT在标准温度应用(例如125°C),在其中使由传统解决方案相比的数量级在可靠性和寿命的增加来使用。该电路设有能够采购/吸收高达每12A的推挽晶体管。它包括以及软关断,欠压锁定,去饱和检测,有源米勒钳位,过温度检测和隔离接口,以主要功能。

CMT-HADES2S不仅可以被用来独立地或与CMT-HADES2P,其产生控制信号以驱动高带宽晶体管的组合。

典型表现:

  • 工作温度:-55℃至+ 175℃
  • 电源电压:5〜30V
  • 输出峰值电流:
    • 图12A @ 125°C
    • 图9A @ 175℃
  • RDS
    • 0.25Ω(典型值)。@ 25℃
    • 0.45Ω(典型值)。@ 175℃
  • 最大PWM频率:1MHz的
  • 传播延迟:160纳秒(典型值)。
  • 上升时间/下降时间(C加载= 1nF的):30ns的典型值
  • 分离OOK调制接口:
    • 1个TX和RX信道
  • 标准数字接口(PWM,FAULT)
  • 软关机
  • 去饱和检测瓦特/可编程的阈值及消隐时间
  • 欠压锁定(UVLO)
  • 过温保护
  • 具有可编程自动再启动计时器故障生成
  • 有源米勒钳位(W /分机MOSFET)
  • 共模瞬态抑制:
    • > 50kV的/μs的典型值。
  • 能,以驱动各种功率开关类型的
  • 包装:塑料QFP44

应用

  • 非常适用于高可靠性市场,如汽车,航空航天,铁路,石油和天然气。
  • 电机驱动器:井下,电动汽车,铁路,工业泵...
  • DC-DC转换器和SMPS:电池充电器....
  • 逆变器:太阳能逆变器,智能电网,电动汽车和混合动力汽车,3分相逆变器,...
  • 电源转换:不间断电源,风力发电机组...

一个评估板EVK-HADES1210实施基于CHT-HADES2P和CHT-HADES2S高温分离栅极驱动器可在CISSOID。金宝搏188下载

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下载金宝搏188下载CISSOID的Altium库对于IC的符号和包的脚印。对于安装,请阅读相关应用笔记


基于CHT-HADES2P和CHT-HADES2S隔离高电压半桥栅极驱动器

订购信息

产品名称 订购参考 印记
HADES2S CMT-TIT0521B-PQFP44-T 塑料QFP44 CMT-TIT0521B