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2020年6月1日

关于碳化硅MOSFET智能功率模块在Bodo的电源系统公司首席技术官会谈

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EVK-HADES�1210

HADES�v2 High Voltage Isolated Gate Driver EVK

EVK-HADES1210评估套件实现了基于阎王电源的半桥v2中的隔离栅极驱动器和两个CISSOID的海王星,一个10A / 1200V的SiC MOSFET。金宝搏188下载
它包括一个评估电路板可立即用于实现功率转换器或电机驱动,并且被设计为总线电压高达1200V和与施加电流高达10A。两个通道可以彼此独立地进行控制,或者使用本地产生的非重叠延迟。
参考设计是基于第二代HADES芯片组由2个装置:主设备CHT-HADES2P和一个次级装置CHT-HADES2S。
该解决方案包括围绕CHT-HADES2P PWM控制器构建的隔离电源。
评估板EVK-HADES2®可用于与SiC-MOSFET元件立即进行测试。该板被填充有CISSOID集成保证-55℃下,在陶瓷封装金宝搏188下载电路+ 225℃。该板是基于聚酰亚胺PCB(额定200℃)上。的无源部件和所述去饱和二极管允许运行在高达175℃,用可能的短途旅行至225℃进行测试。评价板与所述完整的电气原理图,材料清单,包括有源和无源部件,所述Gerber文件递送。

典型表现:

  • 板尺寸:68毫米*54毫米
  • 金宝搏188下载CISSOID有源元件保证-55°至+ 225℃(TJ)
  • 200℃的聚酰亚胺PCB
  • 板合格175℃的环境
    • 短途旅行至225℃进行测试允许
  • 隔离高侧和低侧栅极驱动器
  • 隔离式DC-DC转换器提供浮动驱动
  • 高温10A / 1200V的SiC MOSFET开关
  • 直流母线电压:600V典型值(专为1200V最大)。
  • 隔离(初级 - 次级):
    • 2,500VAC @ 50Hz的(对于1MN)
    • >100MΩ@ 500VDC
  • 共模瞬态抑制:30kV的/μs的典型值(设计用于50kV的/微秒)
  • 延迟时间(PWM至VOUT):200ns的典型。
  • 栅极电压:20V / -5V标称
  • 功率FET的栅极上升时间:40ns的典型。
  • 功率FET的栅极下降时间:40ns的典型。
  • DC-DC转换器的开关频率:180kHz典型值。
  • 单电源:12-15V]±10%
  • 接口电压(数字I / O):15V±10%
  • 欠电压锁定(UVLO)
  • 为HS和LS驱动程序或单个PWM输入独立的PWM输入具有板上的非重叠
  • 去饱和保护
  • 隔离故障输出

应用

  • 非常适用于高可靠性市场,如汽车,航空航天,铁路,石油和天然气。
  • 电机驱动器:井下,电动汽车,铁路,工业泵...
  • DC-DC转换器和SMPS:电池充电器....
  • 逆变器:太阳能逆变器,智能电网,电动汽车和混合动力汽车,3分相逆变器,...
  • 电源转换:不间断电源,风力发电机组...


基于CHT-HADES2P和CHT-HADES2S隔离高电压半桥栅极驱动器

订购信息

对于EVK-HADES1210产品的简单介绍可供下载(见上文)。
本应用笔记可应要求提供:请求EVK-HADES1210应用笔记

产品描述 订购参考
EVK-HADES1210:
HADES®v2高温隔离门极驱动器 - 评估套件
EVK-TIT2785A-T