新闻

2020年6月1

我们的CTO谈到SiC MOSFET智能功率模块在Bodo的电力系统

这个网站使用cookie。继续浏览本网站,即表示您同意我们使用cookies。
好吧
下载数据表

CMT-PLA9869

1200 v / 40莫姆SiC MOSFET

CMT-PLA9869是一种高温高压碳化硅(SiC) MOSFET晶体管,可在标准到247包装。保证产品在-55℃到+175℃(Tj)的全范围内正常运行。该设备的击穿电压超过1200V,开关电流可达60A。该装置具有可作为自由旋转二极管使用的体二极管。

典型表现:

  • 温度范围:-55℃到+175℃
  • 漏极电压可达1200V
  • 最大漏极电流@ 25℃:60A直流
  • RDSon = 40 mΩ@ 25°C和75Ω@ 175°C
  • vg = 4 v + 18 v
  • - 247包

应用程序

  • 开关电源
  • 高压直流-直流转换器
  • 马达驱动器
  • 电池充电器
  • 太阳能逆变器

如果你需要支持对于基于sici的功率转换器设计,接触凹边的金宝搏188下载

下载金宝搏188下载凹边的的奥腾库用于IC符号和封装足迹。要安装,请参阅相关的应用注释

订购信息

产品名称 命令参考 标记
CMT-PLA9869 CMT-PLA9869A-TO247 - - - - - - 247 CMT-PLA9869A