• 电压基准和稳压器
  
• 晶体管和二极管
  
  • CXT-PLA3SA12450
    3相1200V / 450A的SiC MOSFET智能功率模块
  • CMT-PLA9869
    碳化硅MOSFET 1200V / 40mOhms
  • CMT-PLA2218
    IGBT电源模块1200V / 300A
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    IGBT电源模块1200V / 200A
  • NEPTUNE-1210
    高温1200V / 10A功率MOSFET
  • PLUTO-B1230
    1200V / 30A双碳化硅MOSFET模块
  • PLUTO-B1220
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  • PLUTO-C1230
    1200V / 30A降压或升压的SiC MOSFET模块
  • PLUTO-C1220
    1200V / 20A降压或升压的SiC MOSFET模块
  • IO-1210
    1200V / 10A SiC肖特基二极管
  • IO-1202
    1200V / 2A的SiC双共阴极肖特基二极管
  • EUROPA-A1230
    1200V / 30A双SiC肖特基二极管模块
  • EUROPA-A1220
    1200V / 20A双SiC肖特基二极管模块
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  • 木卫七
    四二极管80V /450毫安
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• DC-DC转换器
  
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• 模拟 - 数字转换器和比较器
  
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• 振荡器及定时器
  

IO-1210

1200V / 10A SiC肖特基二极管

IO-1210是在TO-257气密地密封金属封装高温碳化硅（SiC）肖特基二极管。这是适合于实现高效的电源电压整流器，例如在AC-DC转换器。该产品是保证在全范围-55°C正常操作，以+ 210℃（TJ）。该器件具有超过1200V的击穿电压，并能够切换电流高达10A。的SiC肖特基二极管具有1.2V的在图10A的正向电压。的最大连续直流电流为10A，在175℃（TC）。重复峰值正向浪涌电流12A是。