- 电压基准和稳压器
- 晶体管和二极管
- CXT-PLA3SA12450
3相1200V / 450A的SiC MOSFET智能功率模块 - CMT-PLA9869
碳化硅MOSFET 1200V / 40mOhms - CMT-PLA2218
IGBT电源模块1200V / 300A - CMT-PLA8963
IGBT电源模块1200V / 200A - NEPTUNE-1210
高温1200V / 10A功率MOSFET - PLUTO-B1230
1200V / 30A双碳化硅MOSFET模块 - PLUTO-B1220
1200V / 20A双碳化硅MOSFET模块 - PLUTO-C1230
1200V / 30A降压或升压的SiC MOSFET模块 - PLUTO-C1220
1200V / 20A降压或升压的SiC MOSFET模块 - IO-1210
1200V / 10A SiC肖特基二极管 - IO-1202
1200V / 2A的SiC双共阴极肖特基二极管 - EUROPA-A1230
1200V / 30A双SiC肖特基二极管模块 - EUROPA-A1220
1200V / 20A双SiC肖特基二极管模块 - SATURN
40V,5A / 10A / 20A功率NMOS - 地球
80V,5A / 10A功率NMOS - 金星
-30V,2A / 4A / 8A PMOS电源 - NMOS8001
80V / 1A紧凑NMOS - 月亮
双40V / 2A紧凑NMOS - 火星
30V小信号PMOS - 汞
80V小信号NMOS - 木卫七
四二极管80V /450毫安 - CALLISTO
双二极管80V /300毫安 - 共阳极 - 木卫三
双二极管80V /300毫安 - 系列连接 - 木卫五
双二极管80V / 3A
- CXT-PLA3SA12450
- DC-DC转换器
- 栅极驱动器
- 模拟 - 数字转换器和比较器
- 放大器
- 逻辑门
- 振荡器及定时器
下载数据表
IO-1210
1200V / 10A SiC肖特基二极管

IO-1210是在TO-257气密地密封金属封装高温碳化硅(SiC)肖特基二极管。这是适合于实现高效的电源电压整流器,例如在AC-DC转换器。该产品是保证在全范围-55°C正常操作,以+ 210℃(TJ)。该器件具有超过1200V的击穿电压,并能够切换电流高达10A。的SiC肖特基二极管具有1.2V的在图10A的正向电压。的最大连续直流电流为10A,在175℃(TC)。重复峰值正向浪涌电流12A是。
典型表现
- 温度范围:-55℃〜+ 210℃
- 击穿电压高达1200V
- 正向电压= 1.2V,在图10A在25℃下
- 最大持续直流电流@ 175℃(TC)= 10A DC
- 重复峰值正向浪涌电流:12A
- 气密封装用分离的情况下
应用
- DC电机驱动器和致动器控制
- AC-DC转换器和逆变器
如果你需要支持您耐高温设计,接触CISSOI金宝搏188下载D。
下载金宝搏188下载CISSOID的Altium库对于IC的符号和包的脚印。对于安装,请阅读相关应用笔记。
TO257(中Pin1 =阴极;针脚2 =阳极引脚3 = NC)(情况下浮动)
订购信息
产品名称 | 订购参考 | 包 | 印记 |
---|---|---|---|
CHT-IO-1210 | CHT-PLA1122A-TO257-T | TO-257 | CHT-PLA1122A |