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2020年6月1日

关于碳化硅MOSFET智能功率模块在Bodo的电源系统公司首席技术官会谈

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PLUTO-B1230

1200V / 30A双碳化硅MOSFET模块

CHT-PLUTO-B1230是一个单一的密封组件中的高温1200V / 30A双碳化硅MOSFET。本征体二极管可以与用小占空比限制消散推荐续流二极管发挥。它适合于实现功率半桥的应用,如在高温环境中的DC-DC转换器或电机驱动。在两个独立的开关可以并联使用以递送总60A的。该产品是保证在全范围-55°C正常操作,以+ 210℃(TJ)。每个MOSFET具有超过1200V的击穿电压,并能够切换电流高达30A。它们具有20毫欧的导通电阻在25℃和的60mΩ在210℃下在VGS = 20V。

典型表现

  • 温度范围:-55℃〜+ 210℃
  • 漏极电压高达1200V
  • 最大漏极电流@ 175℃(TC):25A DC(每个开关)
  • 导通电阻Ron = 20毫欧@ 25℃和的60mΩ@ 210℃(每转)
  • 栅极 - 源极电压Vgs = -5V至+ 20V
  • 气密封装用分离的情况下

应用

  • DC电机驱动器和致动器控制
  • DC-DC转换器
  • AC-DC转换器和逆变器

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下载金宝搏188下载CISSOID的Altium库对于IC的符号和包的脚印。对于安装,请阅读相关应用笔记

CHT-PLUTO-B1230_B1220功能图CHT-冥王星A1230_A1220_B1230_B1220包

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产品名称 订购参考 印记
CHT-PLUTO-B1230 CHT-PLA2316A-HM8A-T HM8A CHT-PLA2316A