• 电压基准和稳压器
  
• 晶体管和二极管
  
  • CXT-PLA3SA12450
    3相1200V / 450A的SiC MOSFET智能功率模块
  • CMT-PLA9869
    碳化硅MOSFET 1200V / 40mOhms
  • CMT-PLA2218
    IGBT电源模块1200V / 300A
  • CMT-PLA8963
    IGBT电源模块1200V / 200A
  • NEPTUNE-1210
    高温1200V / 10A功率MOSFET
  • PLUTO-B1230
    1200V / 30A双碳化硅MOSFET模块
  • PLUTO-B1220
    1200V / 20A双碳化硅MOSFET模块
  • PLUTO-C1230
    1200V / 30A降压或升压的SiC MOSFET模块
  • PLUTO-C1220
    1200V / 20A降压或升压的SiC MOSFET模块
  • IO-1210
    1200V / 10A SiC肖特基二极管
  • IO-1202
    1200V / 2A的SiC双共阴极肖特基二极管
  • EUROPA-A1230
    1200V / 30A双SiC肖特基二极管模块
  • EUROPA-A1220
    1200V / 20A双SiC肖特基二极管模块
  • SATURN
    40V，5A / 10A / 20A功率NMOS
  • 地球
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    -30V，2A / 4A / 8A PMOS电源
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  • 木卫七
    四二极管80V /450毫安
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    双二极管80V /300毫安 - 共阳极
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    双二极管80V /300毫安 - 系列连接
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• DC-DC转换器
  
• 栅极驱动器
  
• 模拟 - 数字转换器和比较器
  
• 放大器
  
• 逻辑门
  
• 振荡器及定时器
  

PLUTO-B1230

1200V / 30A双碳化硅MOSFET模块

CHT-PLUTO-B1230是一个单一的密封组件中的高温1200V / 30A双碳化硅MOSFET。本征体二极管可以与用小占空比限制消散推荐续流二极管发挥。它适合于实现功率半桥的应用，如在高温环境中的DC-DC转换器或电机驱动。在两个独立的开关可以并联使用以递送总60A的。该产品是保证在全范围-55°C正常操作，以+ 210℃（TJ）。每个MOSFET具有超过1200V的击穿电压，并能够切换电流高达30A。它们具有20毫欧的导通电阻在25℃和的60mΩ在210℃下在VGS = 20V。