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2020年6月1

我们的CTO谈到SiC MOSFET智能功率模块在Bodo的电力系统

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PLUTO-C1230

1200V/30A Buck或Boost SiC MOSFET模块

CHT-PLUTO-C1230是一个高温1200V/30A降压或升压模块,即模块包括一个碳化硅MOSFET和一个碳化硅肖特基二极管,彼此独立。适用于高温环境下实现高效降压(降压)或升压(升压)DC-DC变换器。本产品保证在-55℃~ +210℃(Tj)全范围内正常运行。每个器件的击穿电压超过1200V,开关电流可达30A。SiC MOSFET的导通电阻为20 mΩ25°C和60 m在210°CΩvg = 20 v。SiC肖特基二极管在30A时正向电压为1.35V。

典型的表现

  • 温度范围:-55℃到+210℃
  • 漏极电压可达1200V
  • 175℃(Tc)最大漏极电流:25A直流(每个开关)
  • 导通电阻Ron = 20 mΩ@ 25°C和60Ω@ 210°C(每个开关)
  • 门源电压Vgs=-5V到+20V
  • 二极管正向电压:在30A时1.35V
  • 密封包装,隔离外壳

应用程序

  • 直流电机驱动和执行器控制
  • 直流-直流转换器
  • 交直流转换器和逆变器

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CHT-PLUTO-C1230_C1220功能图CHT-PLUTO-C1230_C1220包

Buck转换器与CHT-PLUTO-C1230 Boost转换器与CHT-PLUTO-C1230
巴克配置(降压) 提高配置(升压)

订购信息

产品名称 命令参考 标记
CHT-PLUTO-C1230 CHT-PLA2228A-HM8A-T HM8A CHT-PLA2228A