• 电压基准和稳压器
  
• 晶体管和二极管
  
  • CXT-PLA3SA12450
    三相1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块
  • CMT-PLA9869
    1200 v / 40莫姆SiC MOSFET
  • CMT-PLA2218
    IGBT电源模块1200V/300A
  • CMT-PLA8963
    IGBT电源模块1200V/200A
  • 海王星- 1210
    高温1200V/10A功率MOSFET
  • PLUTO-B1230
    1200V/30A双SiC MOSFET模块
  • PLUTO-B1220
    1200V/20A双SiC MOSFET模块
  • PLUTO-C1230
    1200V/30A Buck或Boost SiC MOSFET模块
  • PLUTO-C1220
    1200V/20A Buck或Boost SiC MOSFET模块
  • io - 1210
    1200V/10A SiC肖特基二极管
  • io - 1202
    1200V/2A SiC双共阴极肖特基二极管
  • EUROPA-A1230
    1200V/30A双SiC肖特基二极管模块
  • EUROPA-A1220
    1200V/20A双SiC肖特基二极管模块
  • 土星
    40V, 5A/10A/20A电源NMOS
  • 地球
    80V, 5A/10A电源NMOS
  • 金星
    -30V, 2A/4A/8A功率PMOS
  • NMOS8001
    80 v / 1一个紧凑的NMOS
  • 月亮
    双40V/2A紧凑NMOS
  • 火星
    30V小信号PMOS
  • 汞
    80V小信号NMOS
  • 木卫七
    四二极管80 v / 450 ma
  • 木卫四
    双二极管80V/300mA共阳极
  • 伽倪墨得斯
    双二极管80V/300mA -串联
  • 木卫五
    双二极管80 v / 3
• 直流-直流转换器
  
• 门的司机
  
• 模拟-数字转换器和比较器
  
• 放大器
  
• 逻辑门
  
• 振荡器和计时器
  

PLUTO-C1230

1200V/30A Buck或Boost SiC MOSFET模块

CHT-PLUTO-C1230是一个高温1200V/30A降压或升压模块，即模块包括一个碳化硅MOSFET和一个碳化硅肖特基二极管，彼此独立。适用于高温环境下实现高效降压(降压)或升压(升压)DC-DC变换器。本产品保证在-55℃~ +210℃(Tj)全范围内正常运行。每个器件的击穿电压超过1200V，开关电流可达30A。SiC MOSFET的导通电阻为20 mΩ25°C和60 m在210°CΩvg = 20 v。SiC肖特基二极管在30A时正向电压为1.35V。

典型的表现

• 温度范围:-55℃到+210℃
• 漏极电压可达1200V
• 175℃(Tc)最大漏极电流:25A直流(每个开关)
• 导通电阻Ron = 20 mΩ@ 25°C和60Ω@ 210°C(每个开关)
• 门源电压Vgs=-5V到+20V
• 二极管正向电压:在30A时1.35V
• 密封包装，隔离外壳

应用程序

• 直流电机驱动和执行器控制
• 直流-直流转换器
• 交直流转换器和逆变器

如果你需要支持为您的高温设计，接触凹边的金宝搏188下载。

下载金宝搏188下载凹边的的奥腾库用于IC符号和封装足迹。要安装，请参阅相关的应用注释。

巴克配置(降压)	提高配置(升压)

订购信息

产品名称	命令参考	包	标记
CHT-PLUTO-C1230	CHT-PLA2228A-HM8A-T	HM8A	CHT-PLA2228A