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2020年6月1日

关于碳化硅MOSFET智能功率模块在Bodo的电源系统公司首席技术官会谈

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NMOS8001

80V / 1A紧凑NMOS

所述CHT-NMOS8001是中等功率80V / 1A的N沟道功率MOSFET的设计在极宽的温度范围内实现高的性能:典型的操作温度从-55℃至225℃进入。
所述CHT-NMOS8001是提供微型TDFP16密封陶瓷SMD封装。

典型表现:

  • 温度范围:-55℃〜+ 225℃
  • 漏极电压高达80V
  • 最大漏极电流@ 225℃:1A DC,3A脉冲
  • 罗恩:0.76Ω@25°C和1.56Ω@225°C
  • VGS = -5V至5V +(与0 / + 5V控制兼容)
  • 可用在TDFP16封装(5.0×5.5毫米)

应用

  • DC电机驱动器和致动器控制
  • DC-DC转换器
  • AC-DC转换器和逆变器

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下载金宝搏188下载CISSOID的Altium库对于IC的符号和包的脚印。对于安装,请阅读相关应用笔记

芯图

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订购信息

产品名称 描述 订购参考 印记
CHT-NMOS8001 NMOS 80V,1A CHT-PLA4091A-TDFP16-T TDFP16 CHT-PLA4091A
CHT-NMOS8001 NMOS 80V,1A CHT-PLA409101-d-T 已知合格芯片 -