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2021年4月27日

金宝搏188下载CISSOID扩展了其SiC智能电源模块平台,用于电动汽车和航空航天市场

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188金宝搏真人AG> 188金宝搏亚洲SiC电源模块

原文如此智能功率模块

为什么

SiC-IPM"src=碳化硅(SiC)功率晶体管现在提供了卓越的性能与他们的硅同行:他们低导通电阻在高阻塞电压下,高开关速度热性能使系统工程师能够在电机驱动器和电池充电器的尺寸、重量和效率方面取得显著提高,例如在电动汽车(EV)中。价格的持续下降使碳化硅成为主流技术。然而,在大功率应用中采用SiC和其他宽带隙晶体管所面临的一个重要挑战是,要获得良好优化的功率模块以及可靠驱动它们的学习曲线。

智能电源模块通过提供高度集成来应对这两个挑战plug-in-play解决方案加快了上市时间,节约了工程资源。向SiC过渡是一个漫长的过程,如果采用我们的SiC智能电源模块平台,可以大大缩短这一过程,受益于我们在SiC电源模块和门驱动器开发方面超过10年的专业知识。188金宝搏亚洲

什么

基于CISSOID HADES2芯片的集成电源开关和栅驱动的三相1200V SiC MOSFET智能功率模块平台金宝搏188下载®芯片组。

这些模块解决了高功率密度转换器,提供了SiC功率模块,设计用于在高结温(高达175°C)下工作。这种解决方案充分利用了碳化硅技术的优势,通过低开关损耗和高温操作实现了高功率密度。

门驱动器与功率模块的集成,在开关速度和损耗、对dI/dt和dV/dt的稳稳性以及功率级(Desat、UVLO、AMC、SSD、anti -重叠)的保护方面,可以直接获得完全验证和优化的解决方案。

该平台包括3个带引脚鳍AlSiC基板的模块,用于不同额定电流的液体冷却,从而在成本、导电和开关损耗之间找到最佳平衡点。它还包括一个扁平的AlSiC基板模块,用于液冷不是一个选择的应用。

零件号 马克斯·VDS 马克斯,我直流 Typ。罗恩 基板 数据表
CXT-PLA3SA12340AA 1200 v 340年,一个 4.19莫姆 针鳍 CXT-PLA3SA12340A.pdf
CXT-PLA3SA12450AA 1200 v 450年,一个 3.25莫姆 针鳍 CXT-PLA3SA12450A.pdf
CXT-PLA3SA12550AA 1200 v 550年,一个 2.53莫姆 针鳍 CXT-PLA3SA12550A.pdf
CMT-PLA3SB12340AA 1200 v 340年,一个 3.25莫姆 CMT-PLA3SB12340A.pdf

性能

三相1200V SiC MOSFET智能电源模块平台的特点:

  • 电源设备结温:-40°C到+175°C
  • 栅极驱动器环境温度:-40°C至125°C
  • 漏源极击穿电压:1200V
  • 低导通电阻:2.53 ~ 4.19mOhms典型值。
  • 最大持续电流:在Tf=25°C时340A至550A
  • 热阻:0.15°C/W典型。
  • 转换能量@ 600V/300A: Eon=7.5mJ至9mJ/Eoff=7mJ至7.4mJ
  • 开关频率:25KHz最大
  • 隔离(底板-电源引脚):3600VAC @50Hz (1min)
  • 共模暂态抗扰度:>50kV/μs
  • 低寄生电容(一次-二次):典型的11pF /相位
  • 门驱动器的保护:
    • 欠压锁定(UVLO)
    • 稀释的保护
    • 软关机(SSD)
    • 负栅驱动(-3V)
    • 主动铣刀夹紧(AMC)
    • Gate-Source短路保护

支持快速电源转换器设计

SiC-IPM"src=这些ipm的一个巨大好处是高水平的集成功率模块及其门驱动器和AlSiC引脚鳍片或平面底板。这允许与功率转换器的其他元件,如直流母线电容和参考冷却器的快速机械集成,如图所示在右边。系统设计师可以从开发的一开始就获得IPM的精确3D模型,包括门驱动程序,从而节省大量时间。

ipm的LTSpice模型也支持功率转换器设计。

下载

下载CXT-PLA3SA 3D步骤文件(针翅片基板)CMT-PLA3SB 3D步骤文件(平底板)虚拟集成到您的电源逆变器设计。

下载CXT-PLA3SA参考冷却器3D步骤文件

下载CXT-PLA3SA 3D打印参考文件用于聚合物材料(PA12)的3D打印和CXT-PLA3SA12450的快速评价。

下载CXT-PLA3SA安装和冷却建议用于引脚翅片底板模块。

下载LTspice模型库用于CI金宝搏188下载SSOID的SiC智能电源模块。

在新闻

阅读我们关于SiC MOSFET智能功率模块的论文:

3相1200V/450A SiC MOSFET智能电源模块《Bodo's Power Systems Magazine》,2020年5月(下载全文PDF,英语).

1200 v / 450三相SiC MOSFET电动汽车智能功率模块,载于《博多电力系统中国》杂志,2020年6月(下载全文PDF,中文).

智能电源模块加速向基于sic的电动运动过渡”,在国际电子移动技术杂志,冬季2020,p128。(下载全文PDF,英语).

modo di Potenza Intelligente per la Mobilità eletrica, eletrica Oggi Power, 2020年10月(下载全文(PDF,意大利语)).

电动汽车用SiC MOSFET智能功率模块平台, 2020年12月9日,(下载PDF(英文)