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2020年11月3日

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188金宝搏真人AG> 188金宝搏亚洲SiC电源模块

原文如此智能功率模块

为什么

SiC-IPM”src=碳化硅(SiC)功率晶体管现在比它们的硅对手提供了卓越的性能低导通电阻在高阻断电压下,高开关速度热性能使系统工程师能够在电机驱动器和电池充电器的尺寸、重量和效率方面取得显著的进展。价格的持续下降使SiC成为主流技术。然而,在高功率应用中采用SiC的一个重要挑战是良好优化的功率模块的可用性以及可靠驱动它们的学习曲线。

智能电源模块通过提供高度集成解决了这两个挑战plug-in-play加速上市时间和节约工程资源的解决方案。通过采用我们的SiC智能功率模块平台,得益于我们在SiC功率模块和门驱动开发方面超过10年的专业经验,向SiC转换是一段漫长的旅程,可以大大缩短。188金宝搏亚洲

什么

CXT-PLA3SA12450是基于顺soid HADES2集成电源开关和门驱动的三相1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块金宝搏188下载®芯片组。

该模块针对高功率密度转换器,提供用于在高结温(最高可达175℃)下工作的SiC功率模块。这种解决方案充分利用了SiC技术的优势,实现了低开关损耗和高温操作,从而实现了高功率密度。

栅极驱动程序与电源模块的集成直接提供了一个充分验证和优化的解决方案,包括开关速度和损耗、抗dI/dt和dV/dt的鲁棒性以及电源级(Desat、UVLO、AMC、SSD、抗重叠)的保护。

看到 CXT-PLA3SA12450 产品页或下载 产品数据表

性能

SiC-IPM”src=三相1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块

  • 电源器件结温:-40℃~ +175℃
  • 门驱动器环境温度:-40℃至125℃
  • 漏源击穿电压:1200V
  • 低打开电阻:3.25mOhms typ。
  • 最大连续电流:在Tf=25℃/90℃时为450A/300A
  • 热阻:0.15℃/W typ。
  • 开关电源@ 600V/300A: Eon=7.8mJ/Eoff=8mJ
  • 开关频率:最大25KHz
  • 隔离(底板-电源引脚):3600VAC @50Hz (1min)
  • 共模瞬态抗干扰能力:>50kV/瞬态s
  • 低寄生电容(一次-二次):每相typ 11pF
  • 门驱动保护:电压锁定(UVLO),去饱和保护,软关闭关断(SSD),负门驱动(-3V),主动米勒钳位(AMC),门源短路保护

支持快速电源转换器设计

SiC-IPM”src=这种IPM的一大优点是电源模块与其门驱动器和AlSiC pin鳍基板的高度集成。这允许一个快速的机械集成与电源转换器的其他元素,如直流总线电容器和冷却系统,如图所示。系统设计师可以从一开始开发就访问包括gate驱动程序在内的IPM的精确3D模型,从而节省大量时间。

下载

下载CXT-PLA3SA12450数据表

下载3D步骤文件为虚拟集成到您的电源逆变器设计。

在新闻

三相1200V/450A SiC MOSFET智能电源模块,用于电子迁移Bodo's Power Systems杂志,2020年5月

“三相1200 v / 450 SiC MOSFET电动汽车智能功率模块”,发表在《博多电力系统中国》杂志,2020年6月

智能动力模块加速向sico电动的转变”,在电子移动技术国际杂志, 2020年冬季,第128页。(下载全文PDF)。

对潜在的知识分子的模量, Elettrica Oggi Power, 2020年10月(下载全文PDF)。