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2020年6月1

我们的CTO谈到SiC MOSFET智能功率模块在Bodo的电力系统

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金宝搏188下载作为高温半导体领域的领导者,CISSOID最近推出了新型高温汽车集成电路、门驱动器、SiC MOSFET和IGBT电源模块,用于汽车、可再生能源和能源管理领域的电力电子和智能运动。

SiC MOSFET智能功率模块

这种新型的SiC mosfts智能功率模块平台是为汽车和工业电机驱动而设计的。它使高功率密度的转换器能够在高结温(高达175℃)和低开关损耗下工作,从而充分利用SiC技术。这个新平台的第一款产品是:

CXT-PLA3SA12450:一个三相1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块

下载关于博多电力系统SiC智能电源模块的技术文章(2020年5月-英语),(2020年6月-中国)

SiC MOSFET栅极驱动

额定温度为125℃(Ta)的SiC MOSFET功率模块的栅极驱动板为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供了热净空,可实现高频(>100KHz)和快速开关(dV/dt>50KV/ kv s),提高效率,减小尺寸和重量。

CMT-TIT8243CMT-TIT0697分别为优化了62mm XM3 SiC电188金宝搏亚洲源模块

下载关于博多电力系统SiC门驱动板的技术文章(2019年9月)

SiC场效电晶体

CMT-PLA9869:高温高压碳化硅MOSFET晶体管,提供标准到247的包装,保证从-55℃到+175℃(Tj)。该设备的击穿电压超过1200V,开关电流可达60A。

汽车集成电路

金宝搏188下载CISSOID推出了CXT系列组件,该组件设计并符合高温汽车环境的要求,运行结点温度从-55℃到+175℃(Tj):

CXT-STA4919马:50可调线性调压器适用于产生+4.5V到+35V电压源,在+3.3V到+28V范围内的任何稳压电压。

cxt - 741 xx4可配置设备,使13逻辑功能: INV, BUFFER, AND, AND w/反向输入,NAND, NAND w/反向输入,OR, NOR, NOR w/反向输入,XOR, NXOR, MUX和D触发器。