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2020年6月1日

关于碳化硅MOSFET智能功率模块在Bodo的电源系统公司首席技术官会谈

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金宝搏188下载CISSOID,在高温半导体为要求最苛刻的市场领导者,最近推出的新型高温汽车IC的,栅极驱动器,碳化硅MOSFET的和IGBT功率模块的电力电子和汽车,可再生能源的智能运动和能源管理。

碳化硅MOSFET智能功率模块

这种新的碳化硅场效应晶体管智能功率模块的平台,是专为汽车和工业电机驱动器。它使高功率密度转换器给出在高结温获得的SiC技术感谢的全部好处到操作(高达175℃)和低的开关损耗。这个新平台的第一个产品出来是:

CXT-PLA3SA12450: 一个3相1200V / 450A的SiC MOSFET智能功率模块

在Bodo的电源系统对SiC智能功率模块下载技术文章(2020年5 - 英语)(2020年6月 - 中国)

碳化硅MOSFET栅极驱动器

用于SiC MOSFET功率模块额定在125℃(Ta)的栅极驱动器板提供用于高密度功率转换器的汽车和工业应用的设计可实现高频率(> 100KHz的)散热空间和快速开关(的dV / dt> 50KV /μs的),提高效率和减少尺寸和重量。

CMT-TIT8243CMT-TIT0697分别是优化62毫米和XM3 SiC功188金宝搏亚洲率模块

下载对SiC门驱动器板技术文章中Bodo的电源系统(2019年9月)

碳化硅场效应晶体管

CMT-PLA9869高温高压碳化硅(SiC)MOSFET晶体管,在标准的TO-247封装和从-55°C保证+ 175℃(TJ)。该器件具有超过1200V的击穿电压和可切换电流高达60A。

汽车用集成电路

金宝搏188下载CISSOID引入了设计和合格的用于高温汽车环境与操作结温度为-55℃至+ 175℃(TJ)成分的CXT家族:

CXT-STA4919:在50mA可调线性电压调节器适于从一个+ 4.5V至+ 35V的电压源产生在范围+ 3.3V至+ 28V任何稳定电压。

CXT-741xx4个配置的设备13个使能的逻辑功能:INV,缓冲液和,和W /反相输入,NAND,NAND瓦特/反相输入,OR,NOR,NOR瓦特/反相输入,XOR,NXOR,MUX和d触发器。