新闻

2020年6月1日

关于碳化硅MOSFET智能功率模块在Bodo的电源系统公司首席技术官会谈

本网站使用cookies。继续浏览该网站,即表明您同意我们使用Cookie的。

新闻

金宝搏188下载CISSOID碳化硅栅极驱动器Bodo的电源系统

皮埃尔Delatte,CISSO金宝搏188下载ID CTO呈现Bodo的电源系统杂志九月号“高温栅极驱动器的半桥MOSFET的SiC功率62毫米模块”。

“今天,宽禁带半导体,尤其是碳化硅(SiC),正在加速为当中汽车OEM厂商尝鲜正在向这个越来越成熟的技术,提供更高的效率和功率密度增加。对于工业应用,越来越多的人也被吸引通过SiC功率晶体管的好处。
为了充分利用快速开关和低损耗的SiC的MOSFET,两个主要的挑战仍然存在:获得良好优化功率模块,具有低寄生电感和具有健壮和快速的栅极驱动器,以可靠且有效地驱动它们“。

下载PDF全文

IPM和TRFO模块