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2020年6月1日

关于碳化硅MOSFET智能功率模块在Bodo的电源系统公司首席技术官会谈

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新的栅极驱动器,碳化硅MOSFET的及电源模块

金宝搏188下载CISSOID纽伦堡表现出新的高温栅极驱动器,碳化硅MOSFET的模块和电源模块在PCIM 2019

蒙 - 圣吉贝尔,比利时 - 2019年5月2日。CISSOID, the leader in high temperature semiconductors for the most demanding markets, will present new High Temperature Gate Drivers, SiC MOSFET’s and IGBT Power Modules at PCIM 2019, the world's leading exhibition and conference for power electronics, intelligent motion, renewable energy, and energy management.

栅极驱动器和功率模块

公司引入一个新的门驱动器板,用于62毫米碳化硅(SiC)MOSFET电源模块的额定在125℃(Ta)的优化。此板,基于CISSOID HADES栅极驱金宝搏188下载动器芯片组,也可以驱动IGBT功率模块,而对于高密度的功率转换器的汽车和工业应用的设计提供散热空间。它使高频(> 100KHz的)和快速的SiC MOSFET的开关(的dV / dt> 50KV /微秒),提高效率和降低功率转换器的尺寸和重量。该板被设计用于支撑1200V 1700V和功率模块的驱动带隔离电压高达3600V(50赫兹,1分钟)及14mm爬电距离苛刻电压环境。保护功能,如欠压锁定(UVLO),有源米勒钳位(AMC)和饱和检测及保证电源模块的安全驾驶和可靠的保护,故障事件的情况下。“这个新的SiC栅极驱动板是几年在汽车,交通运输和航空航天市场的行业领导者DEVELOPPEMENT工作的结果。它结合了SiC器件CIS金宝搏188下载SOID专长与我们在芯片设计和电子系统,适用于恶劣环境的长期经验“。艾蒂安Vanzieleghem,工程副总裁CISSOI金宝搏188下载D说。

在纽伦堡,CISSOID也将金宝搏188下载呈现新的SiC MOSFET的IGBT等功率模块。一种新的离散的1200V / 40mOhms碳化硅MOSFET晶体管可在一个TO-247封装和从-55℃完全表征°到175℃。该MOSFET设有漏 - 源在40mOhms的电阻在25℃下(TJ)和75mOhms在175℃(TJ)。低开关的导通和关断的能量分别为1mJ,和0.4mJ,使得高效率和紧凑的DC-DC转换器,功率逆变器和电池充电器本设备的理想选择。该公司也将目前的两个62毫米1200V IGBT功率模块与200A和300A额定电流。

金宝搏188下载CISSOID也在努力将在未来几个月内推出的SiC MOSFET功率模块。“这些新产品表x1金宝搏188下载6;8bet032;金宝网址链接明在提供基于SiC的解决方案,包括晶体管,模块和栅极驱动器,以支持产业转型迈向新的电动汽车和可再生能源利用效率高,重量轻,结构紧凑的电源转换全面周到CISSOID承诺”戴夫·赫顿说:,C金宝搏188下载ISSOID CEO。“我们正在密切与汽车OEM和一级供应商合作定制我们的新的基于SiC的功率逆变器栅极驱动器。”他加了。

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