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2021年4月27日

金宝搏188下载CISSOID为E-Mobility和航空航天市场扩展SiC智能电源模块平台

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188金宝搏真人AG> SiC门驱动

原文如此门驱动板

为什么

SiC-IPM"src=特别是宽带隙半导体碳化硅(SiC)提供了更高的效率和更高的功率密度,使其成为电动汽车(EV)和工业电源转换器(包括电机驱动逆变器和电池充电器)的首选技术

为了充分利用SiC mosfet的快速开关和低损耗,两个主要的挑战仍然存在:获得具有低寄生电感的良好优化的功率模块和找到a坚固和快速的门驱动器可靠有效地驱动它们。

什么

金宝搏188下载CISSOID提供高压栅极驱动板额定温度125°C (Ta)优化了62mm和XM3SiC MOSFET功率模块:

  • CMT-TIT824362mm/1200V 188金宝搏亚洲SiC电源模块。

  • CMT-TIT8244适用于62mm/1700V S188金宝搏亚洲iC电源模块。

  • CMT-TIT0697用于XM3/1200V Si188金宝搏亚洲C电源模块。

它们具有抗高dI/dt和高dV/dt的健壮性保护电源模块:

  • 欠压锁定(UVLO)

  • 抗重叠保护(PWM输入)

  • 故障抑制器(PWM输入)

  • 活跃的米勒夹紧

  • 稀释的保护

  • Gate-Source短路保护

这些栅极驱动板提供热空间适用于高密度功率变换器在汽车和工业应用的设计,使高频(>100kHz)和快速切换(dV/dt>50kV/µs),提高效率和减少体积和重量。

金宝搏188下载CISSOID还为三相SiC MOSFET功率模块提供定制栅极驱动板,利用我们的栅极驱动技术的核心3相SiC MOSFET智能电源模块

性能

SiC-IPM"src=金宝搏188下载CISSOID的SiC门驱动板特点:

  • 工作温度:-40°C ~ 125°C

  • 总线电压:1200V至1700V最大

  • 14毫米蠕变/ 12毫米间隙

  • 隔离:3600VAC至4600V @50Hz (1min)

  • > 50 kv /µs dV / dt免疫力

  • 初级侧和高侧之间的寄生电容低:10pF

  • 开关频率高达100kHz

  • +20V/-5V或+15V/-4V(3%精度)栅极驱动电压

  • 低电感门环设计

  • 单路电源:12V ~ 18V

  • RS422 PWM输入接口

  • 排水明沟故障输出

  • 可选机载非重叠生成

应用信息和数据表

产品数据表提供了一个详细的应用部分:

支持电源转换器的设计

SiC-IPM"src=为了便于在电源模块设计中实现栅极驱动板的虚拟集成,CISSOID提供了栅极驱动板的3D Step模型:金宝搏188下载

在新闻

阅读我们关于SiC栅极驱动板的论文:

用于半桥SiC MOSFET 62mm电源模块的高温栅极驱动器”,在Bodo's Power Systems Magazine, 2019年9月(下载PDF格式的全文).

一款高温高压隔离型栅极驱动器用于驱动62毫米SiC MOSFET半桥功率模块”,在博多电力系统中国杂志,2019年10月(下载全文PDF(中文)).

SiC-Module richtig方向行驶”,在设计与电子,2019年12月(下载全文PDF格式,德文).

阅读我们关于SiC MOSFET智能电源模块的论文:

3相1200V/450A SiC MOSFET智能电源模块,发表于Bodo电力系统杂志,2020年5月(下载PDF格式的全文).

1200 v / 450三相SiC MOSFET电动汽车智能功率模块,发表于博多电力系统中国杂志,2020年6月(下载全文PDF(中文)).

智能动力模块加速向基于sic的电动运动的过渡”,在国际电子移动技术杂志, 2020年冬季,p128。(下载PDF格式的全文).

波坦萨智能模Mobilità电子, 2020年10月下载PDF格式的全文,意大利语).

用于电子移动应用的SiC MOSFET智能功率模块平台,于2020年12月9日在线宽带隙会议上发表,(下载PDF格式,英文版本