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2020年11月3日

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188金宝搏真人AG> 188金宝搏亚洲SiC功率模块

碳化硅智能功率模块

为什么

碳化硅-IPM“src=碳化硅(SiC)功率晶体管现在提供出色的表现与他们的硅对应:其低导通电阻在高阻断电压,高开关速度性能和热性能使系统工程师,以实现在尺寸,重量和效率显著增益为电机驱动器和电池充电器。在价格持续下跌正在碳化硅的主流技术。然而,对于在高功率应用中的采用的SiC的一个重要的挑战是优化良好的电源模块的可用性,以及在可靠地驱动它们的学习曲线。

智能功率模块通过提供高度集成的回答既是挑战插件播放解决方案加速时间到市场,节省工程资源。过渡到碳化硅是一个漫长的旅程,可以极大地采用我们的碳化硅智能功率模块平台,在SiC功率模块和栅极驱动器的发展,从10年以上的专业知识中受益缩水。188金宝搏亚洲

什么

CXT-PLA3SA12450是一个3相1200V / 450A的SiC MOSFET智能功率模块集成的电源开关和栅极驱动器基于所述CISSOID HADES2金宝搏188下载®芯片组。

该模块地址的高功率密度转换器提供在高温的结温设计用于操作(高达175℃)的SiC功率模块。该解决方案可以访问的SiC技术的全部优势,以实现高功率密度得益于低开关损耗和高温作业。

与功率模块的栅极驱动器一起的集合给出在切换速度和损失,可以有效抵抗的dI术语直接获得充分验证和优化的解决方案/ dt和dv / dt和功率级(DESAT,UVLO,AMC的保护,SSD,反重叠)。

看到 CXT-PLA3SA12450 产品页面或者下载 产品数据表

性能

碳化硅-IPM“src=CXT-PLA3SA12450 3相1200V / 450A的SiC MOSFET智能功率模块的特点:

  • 功率器件结温:-40℃至+ 175℃
  • 栅极驱动器环境温度:-40℃至125℃的
  • 漏极 - 源极击穿电压:1200V
  • 低导通电阻:3.25mOhms典型。
  • 最大连续电流:450A / 300A在TF = 25℃/ 90℃
  • 热阻:0.15°C / W典型值。
  • 开关能量@ 600V / 300A:李炎= 7.8mJ /的Eoff =为8mJ
  • 开关频率:最大为25KHz
  • 隔离(底板 - 电源引脚):3600VAC @ 50Hz的(1分)
  • 共模瞬态抑制:> 50kV的/μs的
  • 低寄生电容(初级 - 次级):典型值11pF每相
  • 栅极驱动器保护:欠压锁定(UVLO),去饱和保护,软关机关断(SSD),负栅极驱动器(-3V),有源米勒钳位(AMC),栅极 - 源极短路保护

快速功率转换器设计支持

碳化硅-IPM“src=该IPM的一大好处是它的栅极驱动器和铝碳化硅针翅底板电源模块的高集成水平。这允许与功率转换器的其它元素,例如直流母线电容和如在右侧图中所示的冷却系统中的快速机械整合。系统设计者可以有很多有时间访问保存到IPM的精确三维模型,包括从一开始发展的栅极驱动器的权利。

下载

下载CXT-PLA3SA12450数据表

下载CXT-PLA3SA12450 3D STEP文件虚拟集成到你的电源逆变器的设计。

在新闻

A 3相1200V / 450A的SiC MOSFET智能功率模块用于E-移动“在Bodo的电源系统杂志,2020年5

“三相1200V / 450A的SiC MOSFET电动汽车智能功率模块”在Bodo的电源系统(中国)杂志,2020年6月

智能功率模块加快过渡到碳化硅基电气运动”,在E-移动技术国际杂志冬天到2020年,P128。下载PDF全文)。

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